Курсовик1
Корзина 0 0 руб.

Работаем круглосуточно

Доступные
способы
оплаты

Свыше
1 500+
товаров

Каталог товаров

Схема базового логического элемента типа ТТЛ для функции 2И-НЕ. Описание

В наличии
5 руб. 100 руб.
Экономия: 95 руб. (-95%)

Скачать реферат за 5 рублей Схема базового логического элемента типа ТТЛ для функции 2И-НЕ. Описание

После нажатия кнопки В Корзину нажмите корзину внизу экрана, в случае возникновения вопросов свяжитесь с администрацией заполнив форму

Содержание

Введение........................................................................ 3

Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).................................................................................................. 4

Логический элемент 2И-НЕ и его характеристики... 8

Выводы........................................................................ 18

Список литературы..................................................... 19


Введение

В большинстве современных ЭВМ и цифровых устройствах различного назначения обработка информации происходит с помощью двоичного кода, когда информационные сигналы могут принимать только два значения: 1 и 0. Операции по обработке двоичной информации выполняют логические элементы.

Используя набор логических элементов, выполняющие элементарные логические операции И, ИЛИ, НЕ, можно реализовать в двоичном коде любую сложную логическую функцию.

Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)

Схема простейшего ТТЛ-элемента, реализующего операцию И-НЕ, по­казана на рис. 1. Основная особенность схем ТТЛ заключается в том, что во входной цепи используется многоэмиттерный транзистор. Он осуществля­ет операцию И. Эмиттеры расположены таким образом, что прямое взаимо­действие между ними исключается. Благодаря этому эмиттерные переходы можно рассматривать как параллельно включенные диоды. Число эмиттеров определяет число входов элемента. Инвертор реализован на транзисторе УТ2. Таким образом, схема реализует операцию И-НЕ. Транзисторы УТ1 и УТ2 представляют собой однотипные и-р-и-транзисторы, поэтому их можно из­готовить в едином технологическом цикле. Заметим, что многоэмиттерные транзисторы используются только в интегральных схемах.

Рис.1 Схема простейшего ТТЛ-элемента, реализующего операцию И-НЕ

Предположим, что входные напряжения и1 и и2 имеют высокий уро­вень, соответствующий логической единице: и1 = и2 = Ек. При этом эмиттер- ные переходы транзистора УТ1 закрыты, а коллекторный переход открыт и УТ1 находится в инверсном режиме. Ток базы многоэмиттерного транзистора

В последней формуле мы учли, что напряжение базы УТ1 равно сумме напряжений коллекторного перехода транзистора УТ\ и эмиттерного перехо­да УТ2, смещенных в прямом направлении. В многоэмиттерном транзисторе применяется особая геометрия ^-«-перехода, позволяющая снизить инверс­ный коэффициент усиления (как правило Рк @ 0.02), поэтому входные токи схемы малы. Ток базы УТ1 Iб1 замыкается через коллекторный переход и пе­реводит УТ2 в состояние насыщения. Таким образом, выходное напряжение имеет низкий уровень: ивых » 0.2 В .

Если на одном из входов транзистора УТ1 низкий уровень напряжения, соответствующий эмиттерный переход открыт и ток базы замыкается через него. Примем для определенности, что ивх1 = 0.2В. При этом

Коллекторный переход УТ1 закрывается, и транзистор переходит в ак­тивный режим. Ток коллектора Iк1 = Р1 б1 имеет большую величину. Избы­точный заряд, накопленный в базе УТ2, быстро рассасывается через коллек­торный переход первого транзистора. Напряжение база-эмиттер второго транзистора по мере рассасывания избыточных зарядов уменьшается. Тран­зистор УТ1 переходит в состояние насыщения, а УТ2 - отсечки. Напряжение на выходе схемы имеет высокий уровень. Таким образом, таблица истинно­сти элемента соответствует логической функции 2И-НЕ.

Недостатком простейшей схемы ТТЛ-элемента на рис. 29.1 является его неэкономичность. Когда транзистор УТ2 находится в режиме насыщения, его коллекторный ток велик, что приводит к увеличению потребляемой мощ­ности. Для уменьшения тока коллектора можно увеличить сопротивление ре­зистора Я2. Однако это приведет к снижению уровня логической единицы и уменьшению нагрузочной способности схемы. Кроме того, увеличится время переключения схемы в состояние логической единицы.

Для повышения экономичности и быстродействия при сохранении на­грузочной способности в элементах ТТЛ используют сложные инверторы. Одна из стандартных схем ТТЛ-элемента, реализующая функцию 2И-НЕ, по­казана на рис. 2.

Во всех элементах ТТЛ при отрицательном входном напряжении резко увеличивается входной ток. Для ограничения отрицательных входных на­пряжений эмиттеры УТ1 соединяют с корпусом через диоды, запертые для входных сигналов положительной полярности. Диоды отпираются только при действии отрицательных импульсов, возникающих при наличии помех.

Рисунок 2. Одна из стандартных схем ТТЛ-элемента, реализующая функцию 2И-НЕ

В предыдущей лекции мы установили, что скорость переключения транзистора ограничивается временем рассасывания зарядов, накопленных в базе. Заметно увеличить быстродействие удается в ТТЛ-схемах с диодами Шоттки (ТТЛШ). В таких схемах диоды Шоттки включаются параллельно коллекторным переходам. Это позволяет исключить насыщение транзисто­ров и существенно, уменьшить время переключения. Быстродействие эле­ментов ТТЛШ в 3-5 раз выше, чем у аналогичных элементов ТТЛ. Недостат­ком ТТЛШ является меньшая помехоустойчивость из-за меньшего размаха выходного напряжения Ц^ых - Цых. Схемы ТТЛШ работают при таких же уровнях сигналов и питающих напряжений, как и обычные ТТЛ-схемы. Мно- гоэмиттерные транзисторы на входе заменяют диодами Шоттки.

Микросхемы ТТЛ с повышенной нагрузочной способностью. Одним из важных параметров цифровых ИС является нагрузочная способность. Она характеризуется коэффициентом разветвления Кразв, равным числу микро­схем той же серии, которые можно подключить к выходу рассматриваемого элемента. Для большинства микросхем ТТЛ нагрузочная способность К разв = Ю. Некоторы ТТЛ-микросхемы выпускают с повышенной нагрузоч­ной способностью, обеспечивая Кразв = 30.

На практике часто возникает необходимость подключения выходов не­скольких логических элементов к одной нагрузке. Одним из способов объе­динения выходов является использование в выходных каскадах транзисто­ров, один из выводов которых никуда не подключен. Такой вывод называют открытым. На рис. 3 показана упрощенная схема ТТЛ-элемента с откры­тым коллектором. Свободный коллектор такой схемы является ее выходом и подключается к источнику питания через внешнее нагрузочное сопротивле­ние. Его роль может выполнять светодиод, обмотка реле и т. п.

Рисунок 3. Упрощенная схема ТТЛ-элемента

Открытые выводы логических элементов можно объединять. При этом обеспечивается реализация дополнительной логической функции. Логиче­ская функция, реализуемая путем соединения выходов отдельных микро­схем, называется монтажной логикой.

У некоторых цифровых интегральных схем в дополнение к состояниям логических нуля и единицы имеется третье, называемое высокоимпедансным или г-состоянием. У таких микросхем имеется дополнительный управляю­щий вход Е2. При Е2 = 1 выходные транзисторы логического элемента за­перты, их выходное сопротивление велико и микросхема оказывается отклю­ченной от нагрузки.

При использовании логических элементов с тремя состояниями их выво­ды можно объединять вместе. Управление работой микросхем организуют так, чтобы они все, кроме одной, находились в высокоимпедансном состоянии. Это позволяет передать по одной шине информацию от нескольких источников.

Логический элемент 2И-НЕ и его характеристики

Широкое распространение получили логические элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Рассмотрим принципиальную схему логического элемента 2И-НЕ транзисторно-транзисторной логики со сложным инвертором на выходе. Такие логические элементы имеют хорошую нагрузочную способность.

Рисунок 4. Схема логического элемента 2И-НЕ транзисторно-транзисторной логики

На рисунке 4,а приведена принципиальная схема одного из четырех логических элементов 2И-НЕ микросхемы К134ЛБ1, а на рисунке 4,б – условное обозначение этой микросхемы на принципиальных схемах.

На рисунках 5,а и 5,в приведены принципиальные схемы логических элементов 2И-НЕ соответственно для микросхем К133ЛА3 и К155ЛА3. Каждая их этих микросхем имеет по 4 логических элемента 2И-НЕ, а их условные обозначения на принципиальных схемах совпадают (рис. 5,б).

Рисунок 5. Схемы логических элементов 2И-НЕ соответственно для микросхем К133ЛА3 и К155ЛА3

Первые логические элементы ТТЛ не имели на входах защитных диодов. В момент окончания прямоугольного импульса на входе элемента в монтажных цепях цифрового устройства могут возникнуть затухающие колебания. Следствием этих колебаний может быть ложное срабатывание цифрового устройства. В результате доработки логических элементов к каждому входу многоэмиттерного транзистора были подключены демпфирующие диоды. Первым отрицательным импульсом затухающего колебания демпфирующий диод открывается, и амплитуда затухающих колебаний резко уменьшается. Следующий положительный импульс затухающего колебания уже не может изменить состояние на выходе логического элемента.

Резисторы R4, R5 и транзистор VT5 в логическом элементе 2И-НЕ микросхемы К155ЛА3 (рис. 5,в) позволяют получить передаточную характеристику, более близкую к прямоугольной. Это повышает помехозащищенность в состоянии логической единицы на выходе элемента.

Рассмотрим работу логического элемента 2И-НЕ микросхемы К134ЛБ1 (рис. 4,а). Для логических элементов транзисторно-транзисторной логики напряжение логического нуля по техническим условиям может быть 0-0,4 В. Напряжение логической единицы - не менее 2,4 В и не более 5 В. Напряжение логического нуля можно подать, соединив вход элемента с общим проводом накоротко, либо через резистор малого сопротивления (не более 300 Ом). Напряжение логической единицы на вход элемента можно подать, соединив вход элемента с плюсовым проводом питания через резистор сопротивлением 1 Ком, либо оставляя вход элемента свободным.

Пусть на входы Х1 и Х2 элемента 2И-НЕ (рис. 4,а) поданы напряжения логической единицы. Рассмотрим случай, когда Х1 и Х2 никуда не подключены. В этом случае транзисторы VТ2, VТ4 будут открыты токами базы, протекающими по цепи: + источника, резистор R1, переход база-коллектор VТ1, база-эмиттер VТ2, база-эмиттер VТ4, минус источника. Транзистор VТ3 в этом случае закрыт, т.к. потенциал коллектора транзистора VT2 примерно 0,9 В.

Рассмотрим делитель напряжения, верхнее плечо которого состоит из последовательно соединенных резистора R3, выводов коллектор-эмиттер транзистора VТ3, диода VД1, а нижнее плечо делителя – это выводы коллектор-эмиттер VТ4. В рассматриваемом случае сопротивление верхней части делителя велико, а сопротивление нижней части делителя - мало. Выходное напряжение соответствует логическому нулю.

Если хотя бы на одном из входов Х1, Х2 действует логический нуль, то VТ2, VТ4 закрыты, а VТ3 открыт. Ток базы транзистора VT3 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R2, переход база-эмиттер транзистора VT3, полупроводниковый диод VD1, резистор нагрузки (на схеме не показан), минус источника питания. В этом случае сопротивление между коллектором транзистора VT3 и катодом диода VD1 мало, а сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора VT4 велико. Анализируя делитель напряжения, приходим к выводу, что выходное напряжение логического элемента будет соответствовать логической единице.

В вычислительной технике широко применяется устройство с тремя состояниями на выходе. Рассмотрим логический элемент НЕ (инвертор) с тремя состояниями на выходе (рис. 6,а). Указанный инвертор легко получается из схемы базового логического элемента 2И-НЕ путем добавления в схему VД2.

Рисунок 6 Логический элемент НЕ (инвертор)

Если на вход разрешения V микросхемы подано напряжение логической «1», то диод VД2 оказывается отключенным от схемы, и данный элемент можно рассматривать как логический элемент НЕ. Если на входе Х логическая единица, то транзисторы VT2, VT4 будут открыты, транзистор VT3 закрыт и на выходе элемента будет сигнал логического нуля. Подадим на вход Х сигнал логического нуля. В этом случае транзисторы VT2, VT4 будут закрыты, транзистор VT3 открыт и на выходе элемента будет сигнал логической единицы.

Подадим на вход V напряжение логического «0» , в этом случае окажутся закрытыми VТ2, VТ3, VТ4. Выход Y оказывается отключенным как от плюсового, так и от минусового проводов источника питания. Говорят, что выход элемента находится в третьем высокоимпедансном состоянии (состояние высокого сопротивления, как от клеммы «+», так и от клеммы «-» источника питания). Элементы с тремя состояниями позволяют организовать в компьютерных системах так называемую общую шину.

Элементы с тремя состояниями входят в состав шинных формирователей. Шинные формирователи это устройства, которые обеспечивают передачу сигнала в двух направлениях по одному и тому же проводу. В составе шинного формирователя на каждую линию потребуется 2 элемента с тремя состояниями на выходе.

На рисунке 6,б приведена схема логического элемента 2И-НЕ с открытым коллектором на выходе. Выходы нескольких таких элементов подключаются к одному резистору нагрузки, второй вывод которого подключен к плюсовому проводу источника питания.

На рисунке 7,а приведена схема подключения приборов для снятия зависимости выходного напряжения логического элемента от тока нагрузки в состоянии логической единицы на выходе элемента, а на рисунке 8,а – график этой зависимости. Логические элементы ТТЛ не выходят из строя при коротком замыкании нагрузки для случая логической единицы на выходе элемента, поэтому в цепи нагрузки нет необходимости ставить ограничительный резистор. Если на выходе элемента логический нуль, то при исследовании зависимости выходного напряжения от тока нагрузки необходимо в цепи нагрузки устанавливать ограничительный резистор.

Рисунок 7 схема подключения приборов для снятия зависимости выходного напряжения логического элемента

На рисунке 7,б приведена схема подключения приборов для снятия зависимости выходного напряжения логического элемента от тока нагрузки в состоянии логического нуля на выходе элемента, а на рисунке 8,б – график этой зависимости. Сопротивление ограничительного резистора в цепи нагрузки выбирают примерно таким же, как сопротивление резистора R3 в логическом элементе 2И-НЕ (рисунок 1.15,в), т.е. примерно 100 Ом.

Рисунок 8. коэффициент разветвления или нагрузочную способность логического элемента

По графикам, приведенным на рисунке 8 можно определить коэффициент разветвления или нагрузочную способность логического элемента. По графику рисунка 8,а найдем ток нагрузки при выходном напряжении 2,4 В. Зная, что входной ток логической единицы 40 мкА, определим, сколько таких элементов можно подключить в состоянии логической единицы на выходе данного элемента. По рисунку 8,б определим ток нагрузки в состоянии логического нуля на выходе элемента при напряжении 0,4 В. Зная, что входной ток логического нуля минус 1,6 мА, определим, сколько таких элементов можно подключить в состоянии логического нуля на выходе данного элемента. Наименьшее из двух полученных значений будет являться коэффициентом разветвления логического элемента. Определение коэффициента разветвления таким способом будет справедливо только для низких частот, когда влиянием входных емкостей элементов и емкости монтажа можно пренебречь.

рисунок 9. схема для наблюдения на экране осциллографа

На рисунке 9,а приведена схема для наблюдения на экране осциллографа зависимости выходного напряжения элемента от напряжения на его входе, а на рисунке 9,б – график этой зависимости для логического элемента 2И-НЕ ТТЛ. Диод VD1 может быть любым кремниевым малой мощности, т.к. обратное напряжение в данной схеме не превысит 5 В, а ток через диод в прямом направлении выбирается единицы миллиампер. Амплитуда переменного напряжения на выходе источника переменного напряжения не должна превышать 10 В. График зависимости выходного напряжения элемента от напряжения на его входе называется передаточной характеристикой логического элемента. Из графика передаточной характеристики логического элемента 2И-НЕ видно, что при входных напряжениях менее 0,4 В на выходе элемента напряжение логической единицы, а при входных напряжениях более 2,4 В на выходе элемента напряжение логического нуля. Реально в логическом элементе входное напряжение логического нуля может быть больше 0,4 В, а напряжение логической единицы меньше 2,4 В. Однако, выбирать такой режим работы элемента нецелесообразно, т.к. уменьшается помехоустойчивость логического элемента.

Рисунок 10 входная характеристика логического элемента 2И-НЕ

На рисунке 10 приведена входная характеристика логического элемента 2И-НЕ, снятая по одному из входов элемента. На втором входе элемента напряжение логической единицы. Точка а на графике входной характеристики соответствует входному напряжению 2,4 В, а точка б – входному напряжению 0,4 В. Входной ток логической единицы не превышает 40 мкА, а входной ток логического нуля менее –1,6 мА. Знак минус означает, что ток вытекает из микросхемы.

Рисунок 11. схема подключения приборов для наблюдения на экране осциллографа зависимости выходного напряжения от тока нагрузки

На рисунке 11,а приведена схема подключения приборов для наблюдения на экране осциллографа зависимости выходного напряжения от тока нагрузки для случая, когда на выходе элемента логическая единица. Ограничительный резистор в цепи нагрузки не предусмотрен, т.к. исследуется логический элемент 2И-НЕ в состоянии логической единицы на выходе. В качестве источника U2 используется В24, с клемм «+» и «–» которого снимается пульсирующее с частотой 100 Гц напряжение. Сопротивление резистора Rэт выбирают как можно меньше (коэффициент отклонения по каналу Х осциллографа должен быть минимальным). Если чувствительность канала Х осциллографа недостаточна, то на вход Х можно подключить предварительный усилитель. Схема усилителя к входу Х осциллографа ОМЛ-3М приведена на рисунке 12.

Рисунок 12 Схема усилителя к входу Х осциллографа ОМЛ-3М

Для питания усилителя используют переменное напряжение 12 вольт. Сопротивление резистора R1 выбирают значительно больше сопротивления эталонного резистора Rэт. Выход предварительного усилителя подключают к входу «Х» осциллографа. Переменным резистором R5 проводят балансировку микросхемы DA1 при отсутствии входного сигнала. Необходимый коэффициент отклонения луча по оси Х устанавливают переменным резистором R4. Стабилитроны VD1 и VD2 выбирают с учетом того, что необходимо обеспечить перемещение луча по оси «Х» из одного крайнего положения экрана в другое при изменении постоянного напряжения на входе усилителя от 0 до максимально возможного. Расчет сопротивлений резисторов R6, R7 параметрического стабилизатора напряжения проводился с учетом того, что для питания усилителя используется переменное напряжение 12 вольт и выбраны стабилитроны КС156А.

На рисунке 12,б приведена схема подключения приборов для наблюдения на экране осциллографа зависимости выходного напряжения от тока нагрузки для случая, когда на выходе элемента логическая нуль. На транзисторах VT1 и VT2 собрано токовое зеркало. Особенностью работы токового зеркала является то, что коллекторные токи обоих транзисторов одинаковы и в определенных пределах не зависят от сопротивлений нагрузок. Значения коллекторных токов определяются напряжением на резисторе R2 и сопротивлениями резисторов R1 и R3. Сопротивления резисторов R1 и R3 обычно выбирают одинаковыми. Сопротивление эталонного резистора в данной схеме не обязательно должно быть малым. Транзисторы VT1, VT2 должны иметь примерно одинаковый и достаточно большой коэффициент усиления по току.

Рисунок 13. График зависимости потребляемой от источника питания мощности от частоты прямоугольных импульсов на входе

В цифровых устройствах на входах логических элементов обычно присутствуют прямоугольные импульсы напряжения. Пусть напряжение на обоих входах логического элемента 2И-НЕ микросхемы К155ЛА3 скачком изменилось с высокого уровня на низкий. В этом случае транзистор VT3начнет открываться, а транзистор VT4 – закрываться. Транзисторы открываются быстрее, чем закрываются. Поэтому в течение некоторого промежутка времени будут открыты транзисторы VT3 и VT4. Ток, потребляемый логическим элементом от источника питания, ограничивается только резистором R3. Указанный ток короткого замыкания приводит к увеличению потребляемой мощности в динамическом режиме. График зависимости потребляемой от источника питания мощности от частоты прямоугольных импульсов на входе приведен на рисунке 13.


Выводы

1. Основная особенность схем ТТЛ заключается в том, что во входной цепи используется многоэмиттерный транзистор, осуществляющий опера¬цию И. Число эмиттеров определяет число входов элемента.

2. Основными параметрами логических элементов являются:

- напряжение источника питания;

- уровни напряжений, соответствующие логическим нулю и единице;

- помехоустойчивость;

- потребляемая мощность;

- нагрузочная способность;

- быстродействие;

- энергия переключения.

Список литературы

1. Микушин А.В., Сажнев А.М., Сединин В.И. Цифровые устройства и микропроцессоры. СПб, БХВ-Петербург, 2010.

2. Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника. СПб, БХВ-Петербург, 2010.

3. Дж. Ф. Уэкерли Проектирование цифровых устройств. М, Постмаркет, 2012.

4. "CMOS Power Consumption and Cpd Calculation" "Texas Instruments" 1997

5. "Input and Output Characteristic of Digital Integrated Circuits" "Texas Instruments" 1996

Год сдачи
2020
Loading...

Последние статьи из блога

Методы урегулирования межличностных конфликтов в трудовой сфере

Межличностные конфликты в трудовом коллективе: причины и сущность

Сущность распределительной логистики

Теоретические основы развития воображения младших школьников в процессе обучения в условиях инклюзивного образования

Аннотация на статью Брагинская. В « Норманны VS славяне. 300-летняя война»

Интеграционные процессы в АТР

Сравнительная таблица «Монархия и республика»

Интеллектуальная поддержка дистанционного образования и экстерната

Функциональная структура использования СИИ

Основные виды и технологии интеллектуальных информационных систем

Искусственный интеллект в образовании

Проблема формирования представлений об архитектуре у детей среднего дошкольного возраста в психолого-педагогических исследованиях

Особенности представлений об архитектуре у детей среднего дошкольного возраста

Возможности формирования представлений об архитектуре у детей 4 -5 лет в ходе интегрированных занятий

Принцип права коренных народов

История олигофренопедагогики

Теоретические аспекты организации процесса товародвижения

Коллизии законодательства в области наследования в вопросах международного частного права

Правовое регулирование наследственных правоотношений граждан зарубежных государств на территории России и российских граждан за рубежом

Формы взаимодействия органов исполнительной власти Омской области и Администрации города Омска